国电南瑞公告，公司拟与国家电网有限公司（简称“国网公司”）下属科研单位全球能源互联网研究院有限公司（简称“联研院”）共同投资设立南瑞联研功率半导体有限责任公司。其中，国电南瑞以“IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模块产业化项目”的部分募集资金 55864.45 万元出资，占合资公司 69.83%的股权；联研院以技术作价出资 24135.55 万元（该出资技术的评估值已经国有资产管理单位备案），占合资公司 30.17%的股权。
国电南瑞科技股份有限公司成立于 2001 年 2 月 28 日，是一所科技公司。是由南京南瑞集团公司作为主发起人，以南京南瑞集团公司下属三家分公司的资产经过重组，联合其它七家战略投资者共同发起设立，2003 年 9 月 24 日在上海证券交易所上市，简称“国电南瑞”。
公司此次拟增加“IGBT 模块产业化项目”的实施主体，以计划用于该项目设备投资的部分募集资金出资与联研院以技术作价出资共同投资设立合资公司，即由该合资公司实施 IGBT 模块产业化项目的部分投资。涉及变更实施主体的计划投资额 55864.45 万元，占“IGBT 模块产业化项目”投资额的 33.98%，占公司募集资金总筹资额的 9.15%，相关募集资金用途、建设内容、地点等不变。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是国家产业政策重点支持发展的功率半导体器件，技术难度大、研发及产线建设周期长、资金投入大，核心技术一直被国外企业垄断，目前国内高端人才缺乏，国内仅有少量厂商开展高压 IGBT 研制业务。联研院是国网公司直属科研单位，国内首家专业从事全球能源互联网关键技术和设备开发的高端科研机构。联研院于 2010 年开始研究功率半导体器件，拥有 100 多人的技术团队和先进的功率器件中试线，是国内少数掌握高压 IGBT 芯片设计技术的单位之一。在功率半导体器件领域，联研院承担国家科技重大专项（02 专项）“国产高压大功率 IGBT 模块电力系统应用工程”等攻关任务，自主研发了 1200V 至 4500V 系列 IGBT、FRD 芯片及器件，其中 3300V/1500A 压接式和焊接式 IGBT 器件，掌握成套的设计、制备等核心技术，打破了国外技术垄断，成功研制 1200V 至 6500V 碳化硅二极管样品，实现了新一代电力电子器件的重大创新突破。
通过与联研院合作，有利于公司降低 IGBT 等功率器件技术研发及产品批量化生产的风险，保障中低压、加快高压 IGBT 等功率半导体芯片及模块研制和产业化进程。为加快公司产业链延伸和产业升级，增强企业核心竞争力，提高公司募集资金使用效率和效果，降低公司募投项目投资风险，公司拟以“IGBT 模块产业化项目”部分募集资金出资与联研院共同设立合资公司，并增加合资公司为该项目的实施主体。
