电容C和电阻R串联后，并联在隔离变压器二次回路中，当回路中产生过电压时，由于电容C上的电压不能突变，延续了过电压的上升速度，同时短掉了一部分高次谐波电压分量，使硅元件上出现的过电压不会在短时间内增至很大。串联电阻R是限制电容器充放电电流和防止回路中产生电容电感振荡的。
硅整流器普遍采用阻容过电压保护的原理是什么?
日期：2011-03-14 来源：国际能源网 作者：本站整理
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